ODEGAN: Optimization of GaN and SiC substrates off-orientation production of electronic and optoelectronic devices

Nr umowy: POIG.01.04.00-14-007/12 z dnia 04.12.2012 r.
Priorytet 1: Badania i rozwój nowoczesnych technologii
Podziałanie 1.4. Wsparcie projektów celowych

Polską specjalnością w dziedzinie technologii półprzewodników azotkowych są kryształy podłożowe GaN hodowane w firmach Ammono i TopGaN. Bezsprzecznie najlepsze w świecie własności fizyczne tych kryształów pozwalają na uzyskiwanie znakomitych parametrów takich przyrządów jak ultrafioletowe, niebieskie i zielone diody laserowe, czy tranzystory wysokiej mocy.

Dodatkowo, kryształy te mogą być dezorientowane w oparciu o własny patent TopGaN-u. Wstępne badania przeprowadzone przez TopGaN i Instytut Wysokich Ciśnień PAN pokazały, iż zmiana dezorientacji podłoża GaN zmienia bardzo wiele własności warstw (AlGaIn)N wyhodowanych na podłożach. W szczególności zmienia się skład chemiczny, zawartość defektów punktowych i rozciągłych, morfologia. Obserwuje się również deformację komórek elementarnych.

Niniejszy projekt realizowany w ramach POIG ma na celu dogłębne zbadanie mechanizmów związanych ze wzrostem warstw epitaksjalnych AlGaN, InGaN, AlInN (także domieszkowanych Si i Mg) na zdezorientowanych podłożach GaN i SiC. Jako rezultat praktyczny zoptymalizowane zostaną wartości i kierunki dezorientacji dla takich przyrządów elektronicznych i optoelektronicznych, jak diody laserowe (produkowane przez TopGaN), czy tranzystory wysokiej mocy (TopGaN produkuje struktury epitaksjalne dla tych urządzeń). Pozwoli to na otrzymywanie lepszych parametrów użytkowych (m.in., czasów życia) tych przyrządów.